BSS123LT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS123LT1G
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内容描述：	功率MOSFET 170毫安， 100伏 [Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 151 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

BSS123LT1G,

BVSS123LT1G

功率MOSFET

170毫安， 100伏

N沟道SOT- 23

特点

http://onsemi.com

•

AEC - Q101标准，并有能力PPAP

−

BVSS123LT1G

•

这些器件是无铅和符合RoHS标准

最大额定值

等级

漏源电压

栅源电压

−

连续

−

不重复（T

≤

女士）

漏电流

−

连续（注1 ）

−

脉冲（注2）

符号

DSS

GSM

价值

100

0.17

0.68

单位

VDC

VPK

ADC

170毫安

100伏

DS （ ON）

= 6

N沟道

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

标记图

＆放大器;引脚分配

漏

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注3 ）T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

结温和存储温度

符号

qJA

, T

英镑

最大

225

1.8

556

−55

+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

SOT−23

CASE 318

21风格

MG SA

门

=器件代码

=日期代码

= Pb-Free包装

来源

1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极

电流。

2.脉冲宽度

300

女士，

占空比

2.0%.

3， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

（ *注：微球可在任一位置）

*日期代码的方向和/或位置可

这取决于制造地点而有所不同。

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

半导体元件工业有限责任公司， 2011

2011年10月

−

启示录6

出版订单号：

BSS123LT1/D

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