BSS123LT1G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS123LT1G
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内容描述：	功率MOSFET 170毫安， 100伏 [Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 61 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

BSS123LT1

首选设备

功率MOSFET

170毫安， 100伏

N沟道SOT- 23

特点

http://onsemi.com

•

无铅包可用

170毫安

100伏

DS （ ON）

= 6

N沟道

符号

DSS

GSM

价值

100

0.17

0.68

单位

VDC

VPK

ADC

最大额定值

等级

漏源电压

栅源电压

- 连续

- 不重复（T

≤

女士）

漏电流

- 连续（注1）

- 脉冲（注2）

热特性

特征

器件总功耗FR- 5局

（注3 ）T

= 25°C

减免上述25℃

热阻，

结到环境

结温和存储温度

符号

qJA

, T

英镑

最大

225

1.8

556

-55到+150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

=器件代码

=日期代码

引脚分配

漏

1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极

电流。

2.脉冲宽度

300

女士，

占空比

2.0%.

3， FR - 5 = 1.0

0.75

0.062英寸

门

来源

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第2页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

2005年3月 - 修订版5

出版订单号：

BSS123LT1/D

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏

和可靠性可能会受到影响。

记号

图

SOT−23

CASE 318

21风格

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