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BD435 参数 Datasheet PDF下载

BD435图片预览
型号: BD435
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内容描述: 塑料中功率型硅NPN晶体管 [Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 61 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BD435 , BD437 , BD439 , BD441
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
2.0
1.6
I
C
= 10 A
百毫安
1.0 A
3.0 A
1.2
0.8
T
J
= 25°C
0.4
0
0.05 0.070.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
,基极电流(毫安)
20
30
50 70 100
200 300
500
图1.集电极饱和区
hFE参数,电流增益(标准化)
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
I
C
,集电极电流( AMP )
1
2
3
5
BD433 , 435 , 437
BD439 , 441
图2.电流增益
T
J
= 25°C
1.6
电压(伏)
IC ,集电极电流( AMP )
2.0
10
4.0
T
J
= 150°C
1.0
0.5
dc
5毫秒
1.2
0.8
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
二次击穿
热限制牛逼
C
= 25°C
焊线LIMIT
曲线适用于低于额定V
首席执行官
BD437
BD439
BD441
0.6
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.005 0.01 0.02 0.030.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 4.0
I
C
,集电极电流( AMP )
0.1
1.0
2.0
10
20
100
5.0
50
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图3. “开”电压
图4.活动区安全工作区
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