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    BD244C 参数 Datasheet PDF下载

    BD244C图片预览
    型号： BD244C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 互补硅塑料功率晶体管 [Complementary Silicon Plastic Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 6 页 / 92 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BD244C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BD244C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD244C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BD244C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BD244C的Datasheet PDF文件第6页  
    BD243B ， BD243C * （ NPN ） BD244B ， BD244C * （ PNP ）
    V
    CC
    - 30 V
    25
    ms
    + 11 V
    0
    - 9.0 V
    t
    r
    , t
    f
    v
    10纳秒
    占空比= 1.0 ％
    51
    -4V
    D
    1
    必须快速恢复型如。
    1N5825上面使用我
    B
    [
    百毫安
    MSD6100下使用我
    B
    [
    百毫安
    R
    B
    D
    1
    R
    C
    T， TIME （
    μ
    s)
    范围
    2.0
    1.0
    0.7
    0.5
    0.3
    0.2
    0.1
    0.07
    0.05
    0.03
    0.02
    0.06
    T
    J
    = 25°C
    V
    CC
    = 30 V
    I
    C
    /I
    B
    = 10
    t
    r
    t
    d
    @ V
    BE （OFF）的
    = 5.0 V
    R
    B
    和R
    C
    变化，以获得所需的电流水平
    0.1
    0.2
    0.4 0.6
    1.0
    2.0
    I
    C
    ，集电极电流（ AMP ）
    4.0
    6.0
    图2.开关时间测试电路
    图3.开启时间
    R（T ）有效的瞬变
    热电阻（标准化）
    1.0
    0.7
    0.5
    0.3
    0.2
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    t
    1
    0.01
    单脉冲
    t
    2
    单身
    脉冲
    P
    （ PK）
    R
    QJC （最大）
    = 1.92 ° C / W
    D曲线任选一功率
    脉冲序列如图
    读取时间AT＆T
    1
    T
    J（下PK）
    - T
    C
    = P
    （ PK）
    R
    QJC （T ）
    0.1
    0.07
    0.05
    0.03
    0.02
    0.01
    0.01
    占空比D = T
    1
    /t
    2
    0.02 0.03
    0.05
    0.1
    0.2 0.3
    0.5
    1.0
    2.0 3.0 5.0
    10
    吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
    20
    30
    50
    100
    200 300
    500
    1000
    图4.热响应
    10
    5.0
    IC ，集电极电流（ AMP ）
    3.0
    1.0
    ms
    T
    J
    = 150°C
    二次击穿有限公司
    键合丝有限公司
    散热的限制， @ T
    C
    = 25°C
    曲线适用于低于额定V
    首席执行官
    BD243B ， BD244B
    BD243C ， BD244C
    40
    80
    10
    20
    60
    V
    CE
    ，集电极 - 发射极电压（伏）
    100
    5.0毫秒
    2.0
    0.5毫秒
    1.0
    0.5
    0.3
    0.2
    0.1
    5.0
    有对的功率处理能力两方面的局限性
    晶体管：平均结温及第二
    击穿。安全工作区曲线表明我
    C
    - V
    CE
    晶体管必须可靠地观察到极限
    操作，也就是，晶体管不能承受较大的
    功耗比曲线表示。
    图5的数据是基于T
    J（下PK）
    = 150_C ：T已
    C
    is
    可变根据条件。其次，脉细数
    限制是有效的占空比来假定T 10 ％
    J（下PK）
    v
    150°C ，T
    J（下PK）
    可以从在数据计算
    图4.在高温情况下，热限制将
    减少可处理到的值小于所述的功率
    通过限制二次击穿的罚款。
    图5.活动区的安全工作区
    http://onsemi.com
    3

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