BD237
10
IC ，集电极电流（ AMP ）
100
µs
1毫秒
5毫秒
1
TJ = 150℃
dc
3
0.3
BD236
BD237
3
10
30
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
安全工作区曲线表明IC - VCE限制
低于该设备不会进入二次击穿。
具体电路集电极负载线必须落在AP-内
plicable安全区域，避免造成灾难性的失败。对
保证低于最大的TJ操作中，功率 - 温度
降额必须为稳态和脉冲观察
功率条件。
0.1
1
100
图1.活动区的安全工作区
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
0.8
IC = 0.1 A
0.25 A
0.5 A
1.0 A
0.6
TJ = 25°C
0.4
0.2
0
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
10
5.0
IB ，基极电流（毫安）
1.5
20
30
50
100
200
图2.集电极饱和区
的hFE ， DC电流增益（标准化）
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
2.0 3.0 5.0
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
TJ = + 55°C
电压（伏）
0.9
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE @ VCE = 2.0 V
0.3
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
10
20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
IC ，集电极电流（毫安）
0
2.0 3.0 5.0
10
20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
IC ，集电极电流（毫安）
VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
1.2
图3.电流增益
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
单脉冲
图4. “开”电压
θ
JC （ T） = R（T ）
θ
JC
P（ PK）
θ
JC = 4.16 ° C / W MAX
θ
JC = 3.5 ° C / W TYP
D曲线任选一功率
t1
脉冲序列如图
t2
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK）
θ
JC （T ）
占空比D = T1 / T2
20
30
50
100
200 300
500
1000
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
图5.热响应
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
