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BC846B 参数 Datasheet PDF下载

BC846B图片预览
型号: BC846B
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内容描述: 通用晶体管( NPN硅) [General Purpose Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 96 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BC846ALT1系列
BC846
1.0
的hFE , DC电流增益(标准化)
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
10
100
1.0
I
C
,集电极电流(毫安)
V,电压(V )
T
A
= 25°C
0.8
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
0.4
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
50
10 20
5.0
1.0 2.0
I
C
,集电极电流(毫安)
100
200
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
图7.直流电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
20毫安
1.2
0.8
0.4
0
I
C
=
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
−1.0
−1.4
−1.8
图8. “开”电压
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
θ
VB ,温度系数(毫伏/
°
C)
q
VB
对于V
BE
−2.2
−2.6
−3.0
-55 ° C至125°C
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
I
B
,基极电流(毫安)
5.0
10
20
0.2
0.5
50
10 20
5.0
1.0 2.0
I
C
,集电极电流(毫安)
100
200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
T
A
= 25°C
C,电容(pF )
20
C
ib
F T ,电流增益 - 带宽积
40
500
200
100
50
20
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
10
6.0
4.0
C
ob
2.0
0.1
0.2
1.0 2.0
10 20
0.5
5.0
V
R
,反向电压(伏)
50
100
1.0
5.0 10
50 100
I
C
,集电极电流(毫安)
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
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