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BC817-40LT3G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BC817-40LT3G
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内容描述: 通用晶体管( NPN硅) [General Purpose Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 62 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BC817-16LT1 , BC817-25LT1 , BC817-40LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安)
集电极发射极击穿电压
(V
EB
= 0, I
C
= −10
毫安)
发射-Base击穿电压
(I
E
= −1.0
毫安)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 20 V)
(V
CB
= 20 V ,T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 100毫安, V
CE
= 1.0 V)
BC817−25
BC817−40
(I
C
= 500毫安, V
CE
= 1.0 V)
h
FE
BC817−16
100
160
250
40
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
250
400
600
0.7
1.2
V
V
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CES
V
( BR ) EBO
I
CBO
100
5.0
nA
mA
45
50
5.0
V
V
V
符号
典型值
最大
单位
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 500毫安,我
B
= 50 mA)的
基地发射极电压上
(I
C
= 500毫安, V
CE
= 1.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时, V
CE
= 5.0伏, F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 V , F = 1.0兆赫)
f
T
C
敖包
100
10
兆赫
pF
订购信息
设备
BC817−16LT1
BC817−16LT1G
BC817−16LT3
BC817−25LT1
BC817−25LT1G
BC817−25LT3
BC817−25LT3G
BC817−40LT1
BC817−40LT1G
BC817−40LT3
BC817−40LT3G
SBC817−40LT1
SBC817−40LT3
具体的标识代码
6A
6A
6A
6B
6B
6B
6B
6C
6C
6C
6C
6C
6C
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
SOT−23
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
航运
†有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装Specifi-
阳离子小册子, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
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