BC807-16LT1G ， BC807-25LT1G ， BC807-40LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
=
−10
毫安）
集热器
：辐射源
击穿电压
(V
EB
= 0, I
C
=
−10
毫安）
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
=
−1.0
毫安）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
−20
V)
(V
CB
=
−20
V，T
J
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
=
−100
毫安，V
CE
=
−1.0
V)
(I
C
=
−500
毫安，V
CE
=
−1.0
V)
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
=
−500
妈，我
B
=
−50
毫安）
BASE
：辐射源
ON电压
(I
C
=
−500
妈，我
B
=
−1.0
V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
=
−10
毫安，V
CE
=
−5.0
VDC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
=
−10
V，F = 1.0兆赫）
f
T
C
敖包
100
−
−
10
−
−
兆赫
pF
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
BC807−16
BC807−25
BC807−40
h
FE
−
100
160
250
40
−
−
−
−
−
−
−
−
250
400
600
−
−0.7
−1.2
V
V
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
I
CBO
−45
−50
−5.0
−
−
−
−
−
−
V
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
−
−
−
−
−100
−5.0
nA
mA
订购信息
设备
BC807−16LT1G
BC807−16LT3G
BC807−25LT1G
BC807−25LT3G
BC807−40LT1G
BC807−40LT3G
5C
5B1
5A1
特殊标记
包
SOT−23
（无铅）
SOT−23
（无铅）
SOT−23
（无铅）
SOT−23
（无铅）
SOT−23
（无铅）
SOT−23
（无铅）
航运
†
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
†有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
