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BC807-40LT3 参数 Datasheet PDF下载

BC807-40LT3图片预览
型号: BC807-40LT3
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内容描述: 通用晶体管( PNP硅) [General Purpose Transistors(PNP Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 63 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BC807-16LT1 , BC807-25LT1 , BC807-40LT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 )
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安)
集电极发射极击穿电压
(V
EB
= 0, I
C
= −10
毫安)
发射-Base击穿电压
(I
E
= −1.0
毫安)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= −20 V)
(V
CB
= -20 V,T
J
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -100毫安,V
CE
= −1.0 V)
h
FE
BC807−16
BC807−25
BC807−40
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
100
160
250
40
250
400
600
−0.7
−1.2
V
V
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CES
V
( BR ) EBO
I
CBO
−100
−5.0
nA
mA
−45
−50
−5.0
V
V
V
符号
典型值
最大
单位
(I
C
= -500毫安,V
CE
= −1.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -500毫安,我
B
= -50毫安)
基地发射极电压上
(I
C
= -500毫安,我
B
= −1.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= -10毫安,V
CE
= -5.0伏, F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
= -10 V , F = 1.0兆赫)
f
T
C
敖包
100
10
−0.7
兆赫
pF
设备订货信息
设备
BC807−16LT1
BC807−16LT3
BC807−25LT1
BC807−25LT1G
BC807−25LT3
BC807−40LT1
BC807−40LT1G
BC807−40LT3
BC807−40LT3G
SOT−23
SOT−23
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
SOT−23
SOT−23
(无铅)
SOT−23
SOT−23
(无铅)
万胶带和放大器;卷轴
3000磁带&卷轴
3000磁带&卷轴
航运
3000磁带&卷轴
万胶带和放大器;卷轴
万胶带和放大器;卷轴
†有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
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