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BAV99LT1G 参数 Datasheet PDF下载

BAV99LT1G图片预览
型号: BAV99LT1G
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内容描述: 双系列开关二极管 [Dual Series Switching Diode]
分类和应用: 整流二极管开关光电二极管
文件页数/大小: 3 页 / 82 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BAV99LT1G
开关特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明) (每个二极管)
特征
反向击穿电压,
(I
( BR )
= 100
毫安)
符号
V
( BR )
I
R
70
最大
2.5
30
50
1.5
715
855
1000
1250
6.0
1.75
单位
VDC
MADC
反向电压漏电流,
(V
R
= 70 V直流)
(V
R
= 25伏直流,T
J
= 150°C)
(V
R
= 70伏直流,T
J
= 150°C)
二极管电容,
正向电压,
(V
R
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(I
F
= 1.0 MADC )
(I
F
= 10 MADC )
(I
F
= 50 MADC )
(I
F
= 150 MADC )
(I
F
= I
R
= 10 MADC ,我
R( REC )
= 1.0 MADC )R
L
= 100
W
(I
F
= 10毫安,T
r
= 20纳秒)
C
D
V
F
pF
MVDC
反向恢复时间,
正向恢复电压,
t
rr
V
FR
ns
V
曲线适用于每个二极管
1000
I
F
,正向电流(mA )
I
R
,反向电流(毫安)
100
10
1.0
0.1
0.01
0.001
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
100
T
A
= 125°C
10
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
T
A
=
−40°C
0.1
T
A
=
−55°C
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
V
F
,正向电压( V)
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
50
60
70
V
R
,反向电压(V)的
图1.正向电压
0.61
C
d
,二极管电容(PF )
0.59
0.57
0.55
0.53
0.51
0.49
0.47
0.45
0
1
2
3
4
5
6
图2.漏电流
7
8
V
R
,反向电压(V)的
图3.电容
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