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    BAV99LT1G 参数 Datasheet PDF下载

    BAV99LT1G图片预览
    型号： BAV99LT1G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单片双开关二极管 [Monolithic Dual Switching Diode]
    分类和应用： 整流二极管开关光电二极管
    文件页数/大小： 4 页 / 47 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BAV99LT1G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BAV99LT1G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BAV99LT1G的Datasheet PDF文件第4页  
    BAV99LT1
    开关特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明） （每个二极管）
    特征
    反向击穿电压，
    (I
    （ BR ）
    = 100
    毫安）
    反向电压漏电流，
    (V
    R
    = 70 V直流）
    (V
    R
    = 25伏直流，T
    J
    = 150°C)
    (V
    R
    = 70伏直流，T
    J
    = 150°C)
    二极管电容，
    (V
    R
    = 0中，f = 1.0 MHz）的
    正向电压，
    (I
    F
    = 1.0 MADC ）
    (I
    F
    = 10 MADC ）
    (I
    F
    = 50 MADC ）
    (I
    F
    = 150 MADC ）
    反向恢复时间，
    (I
    F
    = I
    R
    = 10 MADC ，我
    R（ REC ）
    = 1.0 MADC ）R
    L
    = 100
    W
    正向恢复电压，
    (I
    F
    = 10毫安，T
    r
    = 20纳秒）
    V
    FR
    −
    1.75
    V
    t
    rr
    −
    6.0
    ns
    V
    F
    −
    −
    −
    −
    715
    855
    1000
    1250
    MVDC
    C
    D
    −
    1.5
    pF
    V
    （ BR ）
    I
    R
    70
    −
    −
    −
    −
    2.5
    30
    50
    VDC
    MADC
    符号
    民
    最大
    单位
    http://onsemi.com
    2

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