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BAS16HT1G 参数 Datasheet PDF下载

BAS16HT1G图片预览
型号: BAS16HT1G
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内容描述: 开关二极管 [Switching Diode]
分类和应用: 整流二极管开关光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 45 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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BAS16HT1
首选设备
开关二极管
最大额定值
等级
连续反向电压
最大正向电流
峰值正向浪涌电流
符号
V
R
I
F
I
FM (浪涌)
价值
75
200
500
单位
VDC
MADC
MADC
1
阴极
2
阳极
http://onsemi.com
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
2
热特性
特征
器件总功耗FR - 5委员会(注1 )
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
结温和存储温度
1, FR- 4最小焊盘。
符号
P
D
最大
200
1.57
R
θJA
T
J
, T
英镑
635
-55〜
150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
1
SOD−323
CASE 477
风格1
标记图
A6 M
符号
最大
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
反向电压漏电流
(V
R
= 75 VDC )
(V
R
= 75 VDC ,T
J
= 150°C)
(V
R
= 25伏直流,T
J
= 150°C)
反向击穿电压
(I
BR
= 100
μAdc )
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC )
(I
F
= 10 MADC )
(I
F
= 50 MADC )
(I
F
= 150 MADC )
二极管电容
(V
R
= 0中,f = 1.0 MHz)的
正向恢复电压
(I
F
= 10 MADC ,T
r
= 20纳秒)
反向恢复时间
(I
F
= I
R
= 10 MADC ,R
L
= 50
Ω)
存储电荷
(I
F
= 10 MADC到V
R
= 5.0伏,
R
L
= 500
Ω)
I
R
V
( BR )
V
F
C
D
V
FR
t
rr
Q
S
715
855
1000
1250
2.0
1.75
6.0
45
pF
VDC
ns
pC
75
1.0
50
30
VDC
mV
μAdc
A6
M
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
BAS16HT1
BAS16HT1G
SOD−323
SOD−323
(无铅)
航运†
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
† 。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
©
半导体元件工业有限责任公司, 2005年
1
2005年3月 - 第4版
出版订单号:
BAS16HT1/D