74HCU04
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
v
85_C
1.7
2.5
3.6
4.8
0.3
0.5
0.8
1.1
1.8
4.0
5.5
2.26
3.76
5.26
0.2
0.5
0.5
0.32
0.37
0.37
±1.0
20
符号
V
IH
参数
测试条件
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
4.0毫安
|I
OUT
|
v
5.2毫安
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
1.7
2.5
3.6
4.8
0.3
0.5
0.8
1.1
1.8
4.0
5.5
2.36
3.86
5.36
0.2
0.5
0.5
0.32
0.32
0.32
±0.1
2.0
v
125_C
l.7
2.5
3.6
4.8
0.3
0.5
0.8
1.1
1.8
4.0
5.5
2.20
3.70
5.20
0.2
0.5
0.5
0.32
0.40
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
最低高电平输入
电压
V
OUT
= 0.5 V*
|I
OUT
|
v
20
mA
V
IL
最大低电平输入
电压
V
OUT
= V
CC
– 0.5 V*
|I
OUT
|
v
20
mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
= GND
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= GND
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
CC
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
CC
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
2.对于V
CC
= 2.0 V, V
OUT
- 0.2 V或V
CC
−
0.2 V.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
保证限额
v
85_C
90
45
18
15
95
32
19
16
10
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
—
- 55
25_C
70
40
14
12
75
27
15
13
10
v
125_C
105
50
21
18
110
36
22
19
10
单位
ns
最大传输延迟，输入A到输出Y
（图1和图2）
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
C
in
最大输入电容
pF
3.对于传播延迟与负载以外50 pF的，看到安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
典型参数值4，信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每变频器） *
2
f
15
pF
5.用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
+ I
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
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4
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
