74HCT14
DC电气特性
（电压参考GND）
温度限制
V
CC
符号
V
T)
最大
V
T)
民
V
T*
最大
V
T*
民
V
H
最大
V
H
民
V
OH
参数
最大正向
输入阈值电压
最小正向
输入阈值电压
最大负向
输入阈值电压
最低负向
输入阈值电压
最大滞后
电压
最小滞后
电压
最小高级别
输出电压
测试条件
V
O
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
O
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
O
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
O
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
O
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
O
= 0.1 V或V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
I
＆ LT ; V
T*
民
|I
OUT
|
v
20
mA
V
I
＆ LT ; V
T*
民
|I
OUT
|
v
4.0毫安
V
OL
最底层
输出电压
V
I
≥
V
T)
最大
|I
OUT
|
v
20
mA
V
I
≥
V
T)
最大
|I
OUT
|
v
4.0毫安
I
IK
I
CC
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
（每包）
V
I
= V
CC
或GND
V
I
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
(V)
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
0.4
0.4
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
$0.1
2.0
0.5
0.6
1.4
1.5
0.4
0.4
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
$1.0
20
1.2
1.4
1.2
1.4
0.5
0.6
1.4
1.5
0.4
04
4.4
5.4
3.7
0.1
0.1
0.4
$1.0
40
mA
mA
V
V
*55_C
至25℃
民
最大
1.9
2.1
1.2
1.4
1.2
1.4
0.5
0.6
1.4
1.5
v85_C
民
最大
1.9
2.1
1.2
1.4
1.2
1.4
v125_C
民
最大
1.9
2.1
单位
V
V
w*55_C
DI
CC
其他静态
电源电流
V
I
= 2.4 V ，任何一个输入
V
I
= V
CC
或GND ，其它输入
l
OUT
= 0
mA
5.5
2.9
25 ° C至125°C
2.4
mA
典型参数值7，关于信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）被发现。
AC特性
(C
L
= 50 pF的;输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
保证限额
*55_C
至25℃
符号
参数
测试条件
科幻居雷什
民
最大
v85_C
民
最大
v125_C
民
最大
单位
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
最大传播
延迟，输入A到输出
Y（ L到高）
最大输出
过渡时间，任何
产量
V
CC
= 5.0 V
$10%
C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒
V
CC
= 5.0 V
$10%
C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒
1&2
32
40
48
ns
1&2
15
19
22
ns
8.对于传播延迟与典型参数值负载以外50 pF的，而信息，请参见安森美半导体高速
CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容，每个逆变器（注9 ）
32
pF
9.用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，看开
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
4
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
