74HCT14
最大额定值
符号
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
T
L
T
J
q
JA
P
D
MSL
F
R
V
ESD
I
闭锁
直流电源电压
直流输入电压
直流输出电压
DC输入二极管电流
DC输出二极管电流
直流输出灌电流
每个电源引脚DC电源电流
每个接地引脚直流接地电流
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
在偏置结温
热阻
功率消耗在静止空气中的85_C
湿气敏感度
可燃性等级
ESD耐压
闭锁性能
氧指数： 30 ％
−
35%
人体模型（注1 ）
机器模型（注2 ）
上述V
CC
及以下GND在85_C （注3 ）
SOIC
TSSOP
SOIC
TSSOP
参数
（参考GND）
（参考GND）
（参考GND）
价值
*0.5
to
)7.0
*0.5
到V
CC
)0.5
*0.5
到V
CC
)0.5
$20
$25
$25
$50
$50
*65
to
)150
260
)150
125
170
500
450
LEVEL 1
符合UL 94 V -0 @ 0.125在
>2000
>200
$300
V
mA
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
_C
_C
_C
° C / W
mW
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.经测试EIA / JESD22 - A114 -A 。
2.经测试EIA / JESD22 - A115 -A 。
3.经测试EIA / JESD78 。
4.对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
I
, V
O
T
A
t
r
, t
f
直流电源电压
直流输入电压，输出电压
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
参数
（参考GND）
（参考GND）
民
4.5
0
*55
−
最大
5.5
V
CC
)125
（注5 ）
单位
V
V
_C
ns
5.无极限时， V
I
[
50% V
CC
, I
CC
> 1毫安。
6.未使用的输入可能不会悬空。所有输入必须连接到一个高逻辑电平或低逻辑输入电压电平。
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3
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
