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74HCT04DTR2G 参数 Datasheet PDF下载

74HCT04DTR2G图片预览
型号: 74HCT04DTR2G
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内容描述: 六角逆变器输入通道兼容输入高性能硅栅CMOS [Hex Inverter With LSTTL−Compatible Inputs High−Performance Silicon−Gate CMOS]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 120 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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74HCT04
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
T
L
V
OUT
参数
价值
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
_C
_C
260
直流电源电压(参考GND)
DC输入电压(参考GND)
- 0.5〜 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±20
±25
±50
500
450
- 65至+ 150
DC输出电压(参考GND)
DC输入电流,每个引脚
直流输出电流,每个引脚
直流电源电流,V
CC
和GND引脚
在静止空气中的功耗
存储温度范围
焊接温度1毫米的表壳,持续10秒
SOIC和TSSOP封装
SOIC封装†
TSSOP封装†
该器件包含保护
电路,以防止损坏
由于高静电压或电
场。但是,必须注意事项
要注意避免的任何应用程序
电压比额定最大高
电压,这种高阻抗税务局局长
CUIT 。为了正常工作,V
in
V
OUT
应限制到
范围GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
.
未使用的输入必须始终
绑定到适当的逻辑电
电平(例如, GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力
收视率而已。以上推荐工作条件的功能操作不暗示。
长期暴露在压力高于推荐的工作条件下可能影响器件
可靠性。
†降额 - SOIC封装: - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装:
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项,请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压(参考GND)
直流输入电压,输出电压(参考GND)
工作温度范围,所有封装类型
输入上升/下降时间(图1 )
4.5
0
– 55
0
最大
5.5
V
CC
+ 125
500
单位
V
V
_C
ns
DC特性
(电压参考GND)
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入电压
最大低电平输入电压
最小高电平输出
电压
条件
V
OUT
= 0.1V
|I
OUT
|
20mA
V
OUT
= V
CC
0.1V
|I
OUT
|
20mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
20mA
V
in
= V
IL
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
20mA
V
in
= V
IH
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流(每包)
额外的静态电源
当前
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
V
in
= 2.4V ,任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ,其它输入
I
OUT
= 0毫安
|I
OUT
|
4.0mA
|I
OUT
|
4.0mA
V
CC
(V)
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
保证限额
−55
至25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
2.0
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
20
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
V
DI
CC
−55°C
5.5
2.9
25至125℃的
2.4
mA
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D)的第2章中找到。
2.总电源电流= I
CC
+
-dI
CC
.
http://onsemi.com
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