74HCT08
DC特性
（电压参考GND）
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
最低高电平输入电压
最大低电平输入电压
最小高电平输出
电压
条件
V
OUT
= 0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
OUT
= V
CC
−
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IL
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
I
in
I
CC
最大输入漏电流
最大静态电源
电流（每包）
额外的静态电源
当前
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
V
in
= 2.4V ，任何一个输入
V
in
= V
CC
或GND ，其它输入
I
OUT
= 0毫安
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
V
CC
(V)
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
保证限额
−55
至25℃
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.98
0.1
0.1
0.26
±0.1
2.0
≤85°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.84
0.1
0.1
0.33
±1.0
20
≤125°C
2.0
2.0
0.8
0.8
4.4
5.4
3.70
0.1
0.1
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
V
DI
CC
≥
−55°C
5.5
2.9
25至125℃的
2.4
mA
典型参数值1。信息可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
2.总电源电流= I
CC
+
-dI
CC
.
AC特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
= t
f
= 6ns的）
符号
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
C
in
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
最大输入电容
V
CC
(V)
4.5
4.5
保证限额
−55
至25℃
15
15
10
≤85°C
19
19
10
≤125°C
22
22
10
单位
ns
ns
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V
C
PD
功率耗散电容（每缓冲器） *
20
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC 2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
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ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
