74HC595
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒）
符号
f
最大
参数
最大时钟频率（ 50 ％占空比）
（图1和7）
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
−
−
保证限额
- 55〜 25_C
6.0
15
30
35
140
100
28
24
145
100
29
25
140
100
28
24
150
100
30
26
135
90
27
23
60
23
12
10
75
27
15
13
10
15
v
85_C
4.8
10
24
28
175
125
35
30
180
125
36
31
175
125
35
30
190
125
38
33
170
110
34
29
75
27
15
13
95
32
19
16
10
15
v
125_C
4.0
8.0
20
24
210
150
42
36
220
150
44
38
210
150
42
36
225
150
45
38
205
130
41
35
90
31
18
15
110
36
22
19
10
15
单位
兆赫
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，移位时钟，以SQ
H
（图1和7）
ns
t
PHL
最大传输延迟，复位到SQ
H
（图2和7）
ns
t
PLH
,
t
PHL
最大传输延迟，时钟锁存到Q
A
−
Q
H
（图3和7）
ns
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟，输出使能到Q
A
−
Q
H
（图4和8）的
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟，输出使能到Q
A
−
Q
H
（图4和8）的
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，Q
A
−
Q
H
（图3和7）
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间， SQ
H
（图1和7）
ns
C
in
C
OUT
最大输入电容
最大三态输出电容（在输出
高阻抗状态） ，Q
A
−
Q
H
pF
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V
C
PD
功率耗散电容（每包） *
2
F +我
CC
300
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC
安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
http://onsemi.com
5
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
