74HC244
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
民
2.0
0
– 55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+ 125
1000
500
400
单位
V
V
_C
ns
DC电气特性
（电压参考GND）
保证限额
符号
V
IH
参数
最低高电平输入电压
测试条件
V
OUT
= V
CC
– 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
OUT
= 0.1 V
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
20
mA
V
in
= V
IL
|I
OUT
|
v
2.4毫安
|I
OUT
|
v
6.0毫安
|I
OUT
|
v
7.8毫安
I
in
I
OZ
I
CC
最大输入漏电流
最大的三态泄漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
输出高阻抗状态
V
in
= V
IL
或V
IH
V
OUT
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0
mA
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
- 55
25_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
±0.5
v
85_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
±5.0
v
125_C
1.5
2.1
3.15
4.2
0.5
0.9
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
0.4
±1.0
±10
mA
mA
V
单位
V
V
IL
最大低电平输入电压
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
6.0
4.0
40
40
mA
注：关于典型参数值和高频率或高负载的考虑可以在ON的第2章被发现
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
