74HC14
DC特性
（电压参考GND）
符号
V
T+
最大
参数
最大正向输入
阈值电压
（图3）
最小正向输入
阈值电压
（图3）
最大负向输入
阈值电压
（图3）
最低负向输入
阈值电压
（图3）
最大电压滞后
（图3）
条件
V
OUT
= 0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
−55
至25℃
1.50
2.15
3.15
4.20
1.0
1.5
2.3
3.0
0.9
1.4
2.0
2.6
0.3
0.5
0.9
1.2
1.20
1.65
2.25
3.00
0.20
0.25
0.40
0.50
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
2.0
≤85°C
1.50
2.15
3.15
4.20
0.95
1.45
2.25
2.95
0.95
1.45
2.05
2.65
0.3
0.5
0.9
1.2
1.20
1.65
2.25
3.00
0.20
0.25
0.40
0.50
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
20
≤125°C
1.50
2.15
3.15
4.20
0.95
1.45
2.25
2.95
0.95
1.45
2.05
2.65
0.3
0.5
0.9
1.2
1.20
1.65
2.25
3.00
0.20
0.25
0.40
0.50
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
V
T+
民
V
OUT
= 0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
T−
最大
V
OUT
= V
CC
−
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
T−
民
V
OUT
= V
CC
−
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
H
最大
注2
V
OUT
= 0.1V或V
CC
−
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
H
民
注2
最小的滞后电压
（图3）
V
OUT
= 0.1V或V
CC
−
0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
OH
最小高电平输出
电压
V
in
≤
V
T−
民
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
≤
V
T−
民
V
V
OL
最大低电平输出
电压
V
in
≥
V
T+
最大
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
≥
V
T+
最大
I
in
I
CC
最大输入漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
在随频率或高负荷的考虑典型参数值1。信息可以在ON的第2章被发现
半导体高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
2. V
H
分> （V
T+
分）
−
(V
T−
最大） ; V
H
最大= （V
T+
MAX ）
−
(V
T−
分钟）。
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4
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
