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    74HC125DTR2G 参数 Datasheet PDF下载

    74HC125DTR2G图片预览
    型号： 74HC125DTR2G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 四路三态同相缓冲器 [Quad 3−State Noninverting Buffers]
    分类和应用： 总线驱动器总线收发器逻辑集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 128 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号74HC125DTR2G的Datasheet PDF文件第1页浏览型号74HC125DTR2G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号74HC125DTR2G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号74HC125DTR2G的Datasheet PDF文件第5页浏览型号74HC125DTR2G的Datasheet PDF文件第6页浏览型号74HC125DTR2G的Datasheet PDF文件第7页浏览型号74HC125DTR2G的Datasheet PDF文件第8页  
    74HC125
    推荐工作条件
    符号
    V
    CC
    V
    in
    , V
    OUT
    T
    A
    t
    r
    , t
    f
    参数
    直流电源电压（参考GND）
    直流输入电压，输出电压
    （参考GND）
    工作温度，所有封装类型
    输入上升和下降时间
    （图1）
    V
    CC
    = 2.0 V
    V
    CC
    = 4.5 V
    V
    CC
    = 6.0 V
    民
    2.0
    0
    – 55
    0
    0
    0
    最大
    6.0
    V
    CC
    + 125
    1000
    500
    400
    单位
    V
    V
    _C
    ns
    DC电气特性
    （电压参考GND）
    保证限额
    符号
    V
    IH
    参数
    最低高电平输入电压
    测试条件
    V
    OUT
    = V
    CC
    – 0.1 V
    |I
    OUT
    |
    v
    20
    mA
    V
    CC
    (V)
    2.0
    3.0
    4.5
    6.0
    2.0
    3.0
    4.5
    6.0
    2.0
    4.5
    6.0
    |I
    OUT
    |
    v
    3.6毫安
    |I
    OUT
    |
    v
    6.0毫安
    |I
    OUT
    |
    v
    7.8毫安
    3.0
    4.5
    6.0
    2.0
    4.5
    6.0
    |I
    OUT
    |
    v
    3.6毫安
    |I
    OUT
    |
    v
    6.0毫安
    |I
    OUT
    |
    v
    7.8毫安
    3.0
    4.5
    6.0
    6.0
    6.0
    - 55
    25_C
    1.5
    2.1
    3.15
    4.2
    0.5
    0.9
    1.35
    1.8
    1.9
    4.4
    5.9
    2.48
    3.98
    5.48
    0.1
    0.1
    0.1
    0.26
    0.26
    0.26
    ±0.1
    ±0.5
    v
    85_C
    1.5
    2.1
    3.15
    4.2
    0.5
    0.9
    1.35
    1.8
    1.9
    4.4
    5.9
    2.34
    3.84
    5.34
    0.1
    0.1
    0.1
    0.33
    0.33
    0.33
    ±1.0
    ±5.0
    v
    125_C
    1.5
    2.1
    3.15
    4.2
    0.5
    0.9
    1.35
    1.8
    1.9
    4.4
    5.9
    2.2
    3.7
    5.2
    0.1
    0.1
    0.1
    0.4
    0.4
    0.4
    ±1.0
    ±10
    mA
    mA
    V
    单位
    V
    V
    IL
    最大低电平输入电压
    V
    OUT
    = 0.1 V
    |I
    OUT
    |
    v
    20
    mA
    V
    V
    OH
    最小高电平输出
    电压
    V
    in
    = V
    IH
    |I
    OUT
    |
    v
    20
    mA
    V
    in
    = V
    IH
    V
    V
    OL
    最大低电平输出
    电压
    V
    in
    = V
    IL
    |I
    OUT
    |
    v
    20
    mA
    V
    in
    = V
    IL
    I
    in
    I
    OZ
    最大输入漏电流
    最大的三态泄漏
    当前
    最大静态电源电流
    （每包）
    V
    in
    = V
    CC
    或GND
    输出高阻抗状态
    V
    in
    = V
    IL
    或V
    IH
    V
    OUT
    = V
    CC
    或GND
    V
    in
    = V
    CC
    或GND
    I
    OUT
    = 0
    mA
    I
    CC
    6.0
    4.0
    40
    40
    mA
    注：关于典型参数值可以在安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章中找到。
    http://onsemi.com
    3

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