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74HC125DR2G 参数 Datasheet PDF下载

74HC125DR2G图片预览
型号: 74HC125DR2G
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内容描述: 四路三态同相缓冲器 [Quad 3−State Noninverting Buffers]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 128 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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74HC125
AC电气特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6.0纳秒)
保证限额
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟,输入A到输出Y
(图1和3)
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
- 55
25_C
90
36
18
15
120
45
24
20
90
36
18
15
60
22
12
10
10
15
v
85_C
115
45
23
20
150
60
30
26
115
45
23
20
75
28
15
13
10
15
v
125_C
135
60
27
23
180
80
36
31
135
60
27
23
90
34
18
15
10
15
单位
ns
t
PLZ
,
t
PHZ
最大传输延迟,输出使能为Y
(图2和4)
ns
t
PZL
,
t
PZH
最大传输延迟,输出使能为Y
(图2和4)
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间,任何输出
(图1和3)
ns
C
in
C
OUT
最大输入电容
最大三态输出电容(输出高阻抗状态)
pF
pF
注:对于传播延迟与其他负载50 pF的,并在典型参数值的信息,请参阅ON第2章
半导体高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
典型的25°C ,V
CC
= 5.0 V
30
C
PD
功率耗散电容(每缓冲器) *
pF
2
F +我
*用于确定无负载的动态功耗:P
D
= C
PD
V
CC
CC
V
CC
。对于负载的考虑,见第2章
安森美半导体的高速CMOS数据手册( DL129 / D) 。
订购信息
设备
74HC125DR2G
74HC125DTR2G
SOIC−14
(无铅)
TSSOP−14*
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
†有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
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