74HC04
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
最大额定值
符号
V
CC
V
in
I
in
I
OUT
I
CC
P
D
T
英镑
T
L
V
OUT
参数
价值
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
_C
_C
260
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
功率消耗在静止空气中，
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
SOIC和TSSOP封装
SOIC封装†
TSSOP封装†
DC输出电压（参考GND）
- 0.5〜 + 7.0
- 0.5 V
CC
+ 0.5
- 0.5 V
CC
+ 0.5
±20
±25
±50
500
450
- 65至+ 150
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
*该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。但是，注意事项一定要
注意避免任何电压更高的应用比最大额定电压至该高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和
V
OUT
应被约束的范围内GND
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
CC
。未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如， GND或V
CC
） 。未使用的输出必须悬空。
●降额
−
SOIC封装： - 7毫瓦/ _C从65_至125_C
TSSOP封装：
−
6.1毫瓦/ _C从65_至125_C
对于高频率或高负载事项，请参见安森美半导体的高速CMOS数据手册（ DL129 / D）的第2章。
推荐工作条件
符号
V
CC
V
in
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间
（图1）
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
民
2.0
0
– 55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+ 125
1000
500
400
单位
V
V
_C
ns
订购信息
设备
74HC04DR2G
74HC04DTR2G
包
SOIC−14
（无铅）
TSSOP−14*
航运
†
2500 /磁带&卷轴
†有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
http://onsemi.com
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ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
