74HC00
DC特性
（电压参考GND）
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
|I
OUT
|
≤
2.4mA
|I
OUT
|
≤
4.0mA
|I
OUT
|
≤
5.2mA
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
保证限额
-55〜 25℃
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.48
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
0.26
±0.1
2.0
≤85°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.34
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
0.33
±1.0
20
≤125°C
1.50
2.10
3.15
4.20
0.50
0.90
1.35
1.80
1.9
4.4
5.9
2.20
3.70
5.20
0.1
0.1
0.1
0.40
0.40
0.40
±1.0
40
mA
mA
V
单位
V
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
条件
V
OUT
= 0.1V或V
CC
-0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
IL
最底层
输入电压
V
OUT
= 0.1V或V
CC
- 0.1V
|I
OUT
|
≤
20mA
V
V
OH
最小高级别
输出电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
=V
IH
或V
IL
V
V
OL
最底层
输出电压
V
in
= V
IH
或V
IL
|I
OUT
|
≤
20mA
V
in
= V
IH
或V
IL
I
in
I
CC
最大输入漏
当前
最大静态电源
电流（每包）
V
in
= V
CC
或GND
V
in
= V
CC
或GND
I
OUT
= 0毫安
注：关于典型参数值可以在安森美半导体能高速CMOS数据手册的第2章被发现
(DL129/D).
AC特性
(C
L
= 50 pF的输入吨
r
= t
f
= 6纳秒）
符号
t
PLH
,
t
PHL
参数
最大传输延迟，输入A或B到输出Y
（图1和图2）
V
CC
(V)
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
保证限额
-55〜 25℃
75
30
15
13
75
27
15
13
10
≤85°C
95
40
19
16
95
32
19
16
10
≤125°C
110
55
22
19
110
36
22
19
10
单位
ns
t
TLH
,
t
THL
最大输出转换时间，任何输出
（图1和图2）
ns
C
in
最大输入电容
pF
注：对于传播延迟与其他负载50 pF的，并在典型参数值的信息，请参阅ON第2章
半导体高高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
典型的25°C ，V
CC
= 5.0 V, V
EE
= 0 V
C
PD
功率耗散电容（每缓冲器） *
22
pF
*用于确定无负载的动态功耗：P
D
= C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
。对于负载的考虑，见第2章
安森美半导体的高高速CMOS数据手册（ DL129 / D） 。
http://onsemi.com
3
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
