ON Semiconductort
NPN硅通用
晶体管放大器
此NPN晶体管被设计为通用放大器
应用程序。此装置被安置在SOT -416 / SC- 90包
这是专为低功耗表面贴装应用中,
电路板空间非常珍贵。
•
板级空间缩小
•
高的hFE , 210-460 (典型值)
•
低VCE (SAT) , < 0.5 V
•
提供8毫米, 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
最大额定值
( TA = 25°C )
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
符号
V( BR ) CBO
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
IC
价值
50
50
5.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2SC4617
NPN通用
用途放大器
晶体管
表面贴装
3
2
1
CASE 463-01 ,风格1
SOT–416/SC–90
器件标识
2SC4617 = B9
集热器
3
热特性
等级
功率耗散( 1 )
结温
存储温度范围
符号
PD
TJ
TSTG
最大
125
150
–55 ~ +150
单位
mW
°C
°C
1
BASE
2
辐射源
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极击穿电压( IC = 50
μAdc ,
IE = 0 )
集电极 - 发射极击穿电压( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
发射极 - 基极击穿电压( IE = 50
μAdc ,
IE = 0 )
集电极 - 基极截止电流( VCB = 30伏直流电, IE = 0 )
发射基截止电流( VEB = 4.0伏, IB = 0 )
集电极 - 发射极饱和电压( 2 )
( IC = 60 MADC , IB = 5.0 MADC )
DC电流增益(2)
( VCE = 6.0伏, IC = 1.0 MADC )
过渡频率( VCE = 12 VDC, IC = 2.0 MADC , F = 30兆赫)
输出电容( VCB = 12 VDC, IC = 0 ADC , F = 1兆赫)
符号
V( BR ) CBO
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
ICBO
IEBO
VCE ( SAT )
—
的hFE
120
fT
COB
—
—
—
180
2.0
560
—
—
兆赫
pF
—
0.4
—
民
50
50
5.0
—
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
0.5
0.5
单位
VDC
VDC
VDC
µA
µA
VDC
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.脉冲测试:脉冲宽度
≤
300
µs,
特区
≤
2%.
©
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年11月 - 第3版
出版订单号:
2SC4617/D