2N7000 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7000
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内容描述：	小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 [Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N-Channel TO-92]
分类和应用：	晶体晶体管开关
文件页数/大小：	4 页 / 61 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

2N7000

2.0

1.8

I D ，漏极电流（ AMPS ）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

2.0 3.0 4.0 5.0

6.0

7.0 8.0

VDS ，漏极 - 源极电压（伏）

TA = 25°C

I D ，漏极电流（ AMPS ）

VGS = 10 V

9.0

1.0

2.0 3.0 4.0

5.0

6.0 7.0 8.0

VGS ，门源极电压（伏）

9.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

VDS = 10V

-55°C

125°C

25°C

图1.欧姆区

图2.传输特性

R DS（ON ），静态漏源导通电阻

（归一化）

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

VGS = 10 V

ID = 200毫安

VGS （ th）时，阈值电压（标准化）

2.4

1.2

1.05

1.1

1.10

1.0

0.95

0.9

0.85

0.8

0.75

0.7

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

VDS = VGS

ID = 1.0毫安

图3.温度与静

漏源导通电阻

图4.温度与门

阈值电压

订购信息

设备

2N7000

2N7000RLRA

2N7000RLRM

2N7000RLRP

2N7000ZL1

包

TO–92

航运

1000单位/箱

2000磁带&卷轴

2000的弹药包

http://onsemi.com

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