2N3906 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N3906
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内容描述：	通用晶体管 [General Purpose Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管开关PC
文件页数/大小：	8 页 / 102 K
品牌：	ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]

2N3906

典型静态特性

2.0

^ h FE ， DC电流增益（标准化）

TJ = + 125°C

+25°C

-55°C

VCE = 1.0 V

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

IC ，集电极电流（毫安）

100

200

图13.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

TJ = 25°C

0.8

0.6

0.4

0.2

0.01

IC = 1.0毫安

10毫安

30毫安

百毫安

0.02

0.03

0.05

0.07

0.1

0.2

0.3

0.5

IB ，基极电流（毫安）

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

图14.集电极饱和区

TJ = 25°C

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

VBE @ VCE = 1.0 V

V，温度系数（MV /

1.0

0.8

V，电压（V ）

0.6

0.4

0.2

1.0

0.5

-0.5

+ 25 ° C至+ 125°C

-1.0

-1.5

-2.0

VB的VBE （SAT）

80 100 120 140

IC ，集电极电流（毫安）

160

180 200

-55 ° C至+ 25°C

VC的VCE （SAT）

+ 25 ° C至+ 125°C

-55 ° C至+ 25°C

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

1.0

2.0

5.0

IC ，集电极电流（毫安）

100

200

图15为“ON”电压

图16.温度系数

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