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2N3904 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N3904
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内容描述: 通用晶体管( NPN硅) [General Purpose Transistors(NPN Silicon)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 102 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
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2N3903, 2N3904
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注2 ) ( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压( IC = 10
MADC ,
IE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压( IE = 10
MADC ,
IC = 0)
底座截止电流( VCE = 30 V直流, VEB = 3.0伏)
集电极截止电流( VCE = 30 V直流, VEB = 3.0伏)
V( BR ) CEO
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
IBL
ICEX
40
60
6.0
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
基本特征
直流电流增益(注2 )
( IC = 0.1 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 1.0 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 10 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 50 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 100 MADC , VCE = 1.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压(注2 )
( IC = 10 MADC , IB = 1.0 MADC )
( IC = 50 MADC , IB = 5.0 MADC
基射极饱和电压(注2 )
( IC = 10 MADC , IB = 1.0 MADC )
( IC = 50 MADC , IB = 5.0 MADC )
的hFE
2N3903
2N3904
2N3903
2N3904
2N3903
2N3904
2N3903
2N3904
2N3903
2N3904
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
0.65
0.85
0.95
0.2
0.3
VDC
20
40
35
70
50
100
30
60
15
30
150
300
VDC
小信号特性
电流增益 - 带宽积
( IC = 10 MADC , VCE = 20伏, F = 100兆赫)
输出电容( VCB = 5.0伏, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
输入电容( VEB = 0.5伏, IC = 0 , F = 1.0兆赫)
输入阻抗
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
电压反馈比例
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
小信号电流增益
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
输出导纳( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
噪声系数
( IC = 100
MADC ,
VCE = 5.0伏, RS = 1.0 ķ
Ω,
F = 1.0千赫)
2N3903
2N3904
2N3903
2N3904
HRE
2N3903
2N3904
的hFE
2N3903
2N3904
HOE
NF
6.0
5.0
50
100
1.0
200
400
40
毫姆欧
dB
0.1
0.5
5.0
8.0
fT
2N3903
2N3904
科博
CIBO
缺氧缺血性脑病
1.0
1.0
8.0
10
X 10–4
250
300
4.0
8.0
pF
pF
k
兆赫
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
2.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2%.
( VCC = 3.0伏, VBE = 0.5伏,
IC = 10 MADC , IB1 = 1.0 MADC )
( VCC = 3.0伏, IC = 10 MADC ,
IB1 = IB2 = 1.0 MADC )
2N3903
2N3904
td
tr
ts
tf
35
35
175
200
50
ns
ns
ns
ns
http://onsemi.com
2