1.5SMC6.8AT3系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ） @ T
L
= 25 ° C，脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度（注2 ）
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
正向浪涌电流（注4 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
R
qJL
P
D
R
qJA
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
1500
4.0
54.6
18.3
0.75
6.1
165
200
-65到+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
1. 10 X 1000
女士，
非重复性
2. 1 “方形铜垫， FR -4板
3， FR- 4电路板，采用安森美半导体的最低建议足迹，如图403的情况下外形尺寸规格。
4. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注5 ） = 100 A）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度系数
BR
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
单向TVS
5. 1/2正弦波或同等学历， PW = 8.3毫秒
非重复的占空比
http://onsemi.com
2
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
