1.5SMC6.8AT3系列
电气特性
（粗体，斜体列出的设备是安森美半导体的首选设备。 ）
V
RWM
（注6 ）
伏
5.8
6.4
7.02
7.78
8.55
9.4
10.2
11.1
击穿电压
I
R
@ V
RWM
mA
1000
500
200
50
10
5
5
5
V
BR
伏
（注7 ）
民
6.45
7.13
7.79
8.65
9.5
10.5
11.4
12.4
喃
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
最大
7.14
7.88
8.61
9.55
10.5
11.6
12.6
13.7
@ I
T
mA
10
10
10
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
（注8）
V
C
伏
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
I
PP
安培
143
132
124
112
103
96
90
82
QV
BR
%/°C
0.057
0.061
0.065
0.068
0.073
0.075
0.078
0.081
设备
1.5SMC6.8AT3
1.5SMC7.5AT3
1.5SMC8.2AT3
1.5SMC9.1AT3
1.5SMC10AT3
1.5SMC11AT3
1.5SMC12AT3
1.5SMC13AT3
设备
记号
6V8A
7V5A
8V2A
9V1A
10A
11A
12A
13A
1.5SMC15AT3
1.5SMC15AT3G
1.5SMC16AT3
1.5SMC18AT3
1.5SMC20AT3
1.5SMC22AT3
1.5SMC24AT3
1.5SMC27AT3
1.5SMC30AT3
15A
15A
16A
18A
20A
22A
24A
27A
30A
12.8
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
20.5
23.1
25.6
5
5
5
5
5
5
5
5
5
14.3
14.3
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.7
28.5
15
15
16
18
20
22
24
27
30
15.8
15.8
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.4
31.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
21.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
33.2
37.5
41.4
71
71
67
59.5
54
49
45
40
36
0.084
0.084
0.086
0.088
0.09
0.092
0.094
0.096
0.097
1.5SMC33AT3
1.5SMC36AT3
1.5SMC39AT3
1.5SMC43AT3
1.5SMC47AT3
1.5SMC51AT3
1.5SMC56AT3
1.5SMC62AT3
1.5SMC62AT3G
1.5SMC68AT3
1.5SMC75AT3
1.5SMC82AT3
1.5SMC91AT3
注意：
33A
36A
39A
43A
47A
51A
56A
62A
68A
75A
82A
91A
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53
53
58.1
64.1
70.1
77.8
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
33
36
39
43
47
51
56
62
62
68
75
82
91
34.7
37.8
41
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
65.1
71.4
78.8
86.1
95.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77
85
85
92
103
113
125
33
30
28
25.3
23.2
21.4
19.5
17.7
17.7
16.3
14.6
13.3
12
0.098
0.099
0.1
0.101
0.101
0.102
0.103
0.104
0.104
0.104
0.105
0.105
0.106
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
装置被推荐用于将来的选择
使用和最佳的整体价值。
*在“G”后缀表示无铅封装。
6.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
） ，这应该是等于或大于
直流或连续峰值工作电压电平。
7. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
按照图2和每个通用数据图3减免8.浪涌电流波形 - 1500瓦，在这个组的开始。
http://onsemi.com
3
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
