1N6267A系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注3 ） = 100 A）
JEDEC
设备
†
（注4 ）
1N6267A ，G
1N6268A ，G
1N6269A ，G
1N6270A ，G
1N6271A ，G
1N6272A ，G
1N6273A ，G
1N6274A ，G
1N6275A ，G
1N6276A ，G
1N6277A ，G
1N6278A ，G
1N6279A ，G
1N6280A ，G
1N6281A ，G
1N6282A ，G
1N6283A ，G
1N6284A ，G
1N6285A ，G
1N6286A ，G
1N6287A ，G
1N6288A ，G
1N6289A ，G
1N6290A ，G
1N6291A ，G
1N6292A ，G
1N6293A ，G
1N6294A ，G
1N6295A ，G
1N6296A ，G
1N6297A ，G
1N6298A ，G
1N6299A ，G
1N6300A ，G
1N6301A ，G
1N6302A ， G *
1N6303A ，G
V
RWM
（注5 ）
（伏）
5.8
6.4
7.02
7.78
8.55
9.4
10.2
11.1
12.8
13.6
15.3
17.1
18.8
20.5
23.1
25.6
28.2
30.8
33.3
36.8
40.2
43.6
47.8
53
58.1
64.1
70.1
77.8
85.5
94
102
111
128
136
145
154
171
185
214
击穿电压
I
R
@ V
RWM
（MA ）
1000
500
200
50
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
V
BR
（注6 ）
（伏）
民
6.45
7.13
7.79
8.65
9.5
10.5
11.4
12.4
14.3
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.7
28.5
31.4
34.2
37.1
40.9
44.7
48.5
53.2
58.9
64.6
71.3
77.9
86.5
95
105
114
124
143
152
162
171
190
209
237
喃
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
170
180
200
220
250
最大
7.14
7.88
8.61
9.55
10.5
11.6
12.6
13.7
15.8
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.4
31.5
34.7
37.8
41
45.2
49.4
53.6
58.8
65.1
71.4
78.8
86.1
95.5
105
116
126
137
158
168
179
189
210
231
263
@ I
T
（MA ）
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
（注7 ）
V
C
（伏）
10.5
11.3
12.1
13.4
14.5
15.6
16.7
18.2
21.2
22.5
25.2
27.7
30.6
33.2
37.5
41.4
45.7
49.9
53.9
59.3
64.8
70.1
77
85
92
103
113
125
137
152
165
179
207
219
234
246
274
328
344
I
PP
(A)
143
132
124
112
103
96
90
82
71
67
59.5
54
49
45
40
36
33
30
28
25.3
23.2
21.4
19.5
17.7
16.3
14.6
13.3
12
11
9.9
9.1
8.4
7.2
6.8
6.4
6.1
5.5
4.6
5
QV
BR
(%/°C)
0.057
0.061
0.065
0.068
0.073
0.075
0.078
0.081
0.084
0.086
0.088
0.09
0.092
0.094
0.096
0.097
0.098
0.099
0.1
0.101
0.101
0.102
0.103
0.104
0.104
0.105
0.105
0.106
0.106
0.107
0.107
0.107
0.108
0.108
0.108
0.108
0.108
0.109
0.109
设备
†
1.5KE6.8A ，G
1.5KE7.5A ，G
1.5KE8.2A ，G
1.5KE9.1A ，G
1.5KE10A ，G
1.5KE11A ，G
1.5KE12A ，G
1.5KE13A ，G
1.5KE15A ，G
1.5KE16A ，G
1.5KE18A ，G
1.5KE20A ，G
1.5KE22A,
1.5KE24A,
1.5KE27A,
1.5KE30A,
G
G
G
G
1.5KE33A ，G
1.5KE36A ，G
1.5KE39A ，G
1.5KE43A ，G
1.5KE47A ，G
1.5KE51A ，G
1.5KE56A ，G
1.5KE62A ，G
1.5KE68A,
1.5KE75A,
1.5KE82A,
1.5KE91A,
G
G
G
G
1.5KE100A ，G
1.5KE110A ，G
1.5KE120A ，G
1.5KE130A ，G
1.5KE150A,
1.5KE160A,
1.5KE170A,
1.5KE180A,
G
G
G
G
1.5KE200A ，G
1.5KE220A ，G
1.5KE250A ，G
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体首选设备。
首选
装置被推荐用于将来使用和最佳的总体值的选择。
3. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
4.表示JEDEC注册的数据
5.瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
），这应该等于或
比直流或连续峰值工作电压电平更大。
6. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度
按照图5和每图1和2减功率7.浪涌电流波形。
†的“G”后缀表示无铅封装。
*不可用1500 /磁带&卷轴
http://onsemi.com
3
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
