1N6267A系列
1500瓦Mosorb ™稳压
瞬态电压
抑制器
单向*
http://onsemi.com
Mosorb设备旨在保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。这些设备是
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetic ™轴向引线封装，是理想的适合于用在
通信系统，数控系统，过程控制，
医疗设备，商用机器，电源和许多
其他工业/消费应用，以保护CMOS ， MOS和
双极集成电路。
规格特点：
阴极
阳极
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•
工作峰值反向电压范围 - 5.8 V至214 V
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
mA
上述10 V
UL 497B用于隔离回路电路保护
响应时间通常< 1纳秒
轴向引线
CASE 41A
塑料
L
1N6
XXXA
1.5KE
XXXA
YYWW
L =大会地点
1N6xxxA = JEDEC器件代码
1.5KExxxA = ON器件代码
YY =年
WW =工作周
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的：
230_C ， 1/16“从10秒的情况下
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
稳定状态下的功耗
@ T
L
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
上述牛逼降额
L
= 75°C
热阻，结到铅
正向浪涌电流（注2 ）
@ T
A
= 25°C
工作和存储
温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
1500
5.0
20
R
qJL
I
FSM
T
J
, T
英镑
20
200
- 65
+175
单位
瓦
瓦
毫瓦/°C的
° C / W
安培
°C
订购信息
设备
1.5KExxxA
1.5KExxxARL4
1N6xxxA
1N6xxxARL4*
包
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
* 1N6302A不可用1500 /磁带&卷轴
设备上市
粗体，斜体
是安森美半导体
首选
设备。
首选
设备推荐
选择以供将来使用和最佳的整体价值。
按照图5 1.非重复性电流脉冲及以上牛逼降额
A
每= 25°C
图2中。
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲
每分钟最高。
*请参阅1.5KE6.8CA到1.5KE250CA为双向设备
©
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年6月 - 修订版5
出版订单号：
1N6267A/D
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
