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    0W888-002-XTP 参数 Datasheet PDF下载

    0W888-002-XTP图片预览
    型号： 0W888-002-XTP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高性能的可编程音频处理系统 [High-Performance Programmable Audio Processing System]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 119 K
    品牌： ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号0W888-002-XTP的Datasheet PDF文件第1页浏览型号0W888-002-XTP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号0W888-002-XTP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号0W888-002-XTP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号0W888-002-XTP的Datasheet PDF文件第6页  
    SMF5.0AT1G系列， SZSMF5.0AT1G系列
    电气特性
    (T
    L
    = 30℃ ，除非另有说明，V
    F
    = 1.25伏特@ 200毫安）
    V
    RWM
    (V)
    设备*
    SMF5.0AG
    SMF6.0AG
    SMF6.5AG
    SMF7.0AG
    SMF7.5AG
    SMF8.0AG
    SMF9.0AG
    SMF10AG
    SMF11AG
    SMF12AG
    SMF13AG
    SMF14AG
    SMF15AG
    SMF18AG
    SMF20AG
    SMF22AG
    SMF24AG
    SMF26AG
    SMF28AG
    SMF30AG
    SMF33AG
    SMF36AG
    SMF48AG
    SMF51AG
    SMF58AG
    记号
    KE
    KG
    KK
    KM
    KP
    KR
    KV
    KX
    KZ
    LE
    LG
    LK
    LM
    LT
    LV
    LX
    LZ
    ME
    MG
    MK
    MM
    MP
    MX
    MZ
    NG
    （注5 ）
    5
    6
    6.5
    7
    7.5
    8
    9
    10
    11
    12
    13
    14
    15
    18
    20
    22
    24
    26
    28
    30
    33
    36
    48
    51
    58
    V
    BR
    @ I
    T
    (V)
    （注6 ）
    民
    6.4
    6.67
    7.22
    7.78
    8.33
    8.89
    10
    11.1
    12.2
    13.3
    14.4
    15.6
    16.7
    20
    22.2
    24.4
    26.7
    28.9
    31.1
    33.3
    36.7
    40
    53.3
    56.7
    64.4
    喃
    6.7
    7.02
    7.6
    8.2
    8.77
    9.36
    10.55
    11.7
    12.85
    14
    15.15
    16.4
    17.6
    21
    23.35
    25.6
    28.1
    30.4
    32.8
    35.1
    38.7
    42.1
    56.1
    59.7
    67.8
    最大
    7
    7.37
    7.98
    8.6
    9.21
    9.83
    11.1
    12.3
    13.5
    14.7
    15.9
    17.2
    18.5
    22.1
    24.5
    26.9
    29.5
    31.9
    34.4
    36.8
    40.6
    44.2
    58.9
    62.7
    71.2
    I
    T
    （MA ）
    10
    10
    10
    10
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    I
    R
    @ V
    RWM
    （MA ）
    400
    400
    250
    100
    50
    25
    5
    2.5
    2.5
    2.5
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    V
    C（最大值）
    (V)
    9.2
    10.3
    11.2
    12
    12.9
    13.6
    15.4
    17
    18.2
    19.9
    21.5
    23.2
    24.4
    29.2
    32.4
    35.5
    38.9
    42.1
    45.4
    48.4
    53.3
    58.1
    77.4
    82.4
    93.6
    I
    峰值（最大值）
    (A)
    （注7 ）
    21.7
    19.4
    17.9
    16.7
    15.5
    14.7
    13.0
    11.8
    11.0
    10.1
    9.3
    8.6
    8.2
    6.8
    6.2
    5.6
    5.1
    4.8
    4.4
    4.1
    3.8
    3.4
    2.6
    2.4
    2.1
    5.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择（V
    RWM
    ），其应该是等于或大于
    比DC或者连续峰值工作电压电平。
    6. V
    BR
    在脉冲测试电流I测量
    T
    在25 ° C的环境温度。
    按照图2和减免每图7.浪涌电流波形。
    *适用包括SZ-前缀的设备。
    http://onsemi.com
    3

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