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    NTBG015N065SC1 参数 Datasheet PDF下载

    NTBG015N065SC1图片预览
    型号： NTBG015N065SC1
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    内容描述： [Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 323 K
    品牌： ONSEMI [ ONSEMI ]
     浏览型号NTBG015N065SC1的Datasheet PDF文件第1页浏览型号NTBG015N065SC1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTBG015N065SC1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTBG015N065SC1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTBG015N065SC1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NTBG015N065SC1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号NTBG015N065SC1的Datasheet PDF文件第8页  
    NTBG015N065SC1  
    TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)  
    1
    Duty Cycle = 0.5  
    0.2  
    0.1  
    0.1  
    0.05  
    0.02  
    0.01  
    P
    DM  
    0.01  
    Single Pulse  
    Notes:  
    = 0.3°C/W  
    R
    t
    q
    JC  
    1
    Duty Cycle, D = t /t  
    t
    1
    2
    2
    0.001  
    0.00001  
    0.0001  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    t, PULSE TIME (s)  
    Figure 13. Junction−to−Case Transient Thermal Response Curve  
    www.onsemi.com  
    6

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