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NDSH40120CDN 参数 Datasheet PDF下载

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型号: NDSH40120CDN
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内容描述: [Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 40 A, 1200 V, D3, TO-247-3L]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 285 K
品牌: ONSEMI [ ONSEMI ]
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NDSH40120CDN  
TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25C unless otherwise noted) (per leg)  
J
30.00  
25.00  
20.00  
15.00  
10.00  
5.00  
0.00  
0
100 200  
300  
400  
500 600  
700  
800  
V , REVERSE VOLTAGE (V)  
R
Figure 7. Capacitance Stored Energy  
1
Duty Cycle = 0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.05  
0.02  
P
DM  
Notes:  
= 0.69C/W  
R
q
JC  
0.01  
t
Peak T = P  
x Z (t) + T  
q
DM JC C  
1
J
Single Pulse  
Duty Cycle, D = t /t  
t
1
2
2
0.01  
1E06  
1E05  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
t, PULSE TIME (s)  
Figure 8. JunctiontoCase Transient Thermal Response Curve  
www.onsemi.com  
4
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