绝对最大额定值 （TJ = 25°C，除非另有说明。）
逆变器部分
符号
参数
工作条件
施加在 P - NU， NV， NW 之间
施加在 P - NU， NV， NW 之间
额定值
450
500
600
30
单位
VPN
V
V
V
A
A
电源电压
VPN （浪涌） 电源电压 （浪涌）
VCES
± IC
集电极 — 发射极之间电压
单个 IGBT 的集电极电流
TC = 25°C， TJ ≤ 150°C （注 4）
± ICP
60
单个 IGBT 的集电极电流 （峰值）
TC = 25°C，TJ ≤ 150°C，脉冲宽度小于 1 ms
（注 4）
PC
TJ
113
W
集电极功耗
工作结温
TC = 25°C per One Chip （注 4）
-40 ~ 150
°C
控制部分
符号
VCC
参数
控制电源电压
工作条件
额定值
20
单位
V
V
施加在 VCC(H)， VCC(L) - COM 之间
VBS
20
高端控制偏压
施加在 VB(U) - VS(U)，VB(V) - VS(V)，VB(W) -
VS(W)
VIN
-0.3 ~ VCC+0.3
施加在 IN(UH)， IN(VH)， IN(WH)， IN(UL)，
IN(VL)， IN(WL) - COM 之间
V
输入信号电压
VFO
IFO
-0.3 ~ VCC+0.3
2
V
mA
V
故障输出电源电压
故障输出电流
施加在 VFO - COM 之间
V
FO 引脚处的灌电流
VSC
-0.3 ~ VCC+0.3
电流感测输入电压
施加在 CSC - COM 之间
自举二极管部分
符号
参数
工作条件
额定值
600
单位
VRRM
IF
V
A
A
最大重复反向电压
正向电流
0.5
TC = 25°C， TJ ≤ 150°C （注 4）
IFP
2.0
正向电流 （峰值）
TC = 25°C，TJ ≤ 150°C，脉冲宽度小于 1 ms
（注 4）
TJ
-40 ~ 150
°C
工作结温
整个系统
符号
参数
工作条件
额定值
单位
VPN(PROT)
400
V
自我保护限制电源电压 （短路保护能力） VCC = VBS = 13.5 ~ 16.5 V，TJ = 150°C，非
重复性， < 2 μs
TC
-40 ~ 125
-40 ~ 125
2500
°C
°C
模块壳体工作温度
存储温度
见图 2
TSTG
VISO
Vrms
绝缘电压
60 Hz，正弦波形， 1 分钟，连接陶瓷基板到
引脚
热阻
符号
Rth(j-c)Q
Rth(j-c)F
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
-
-
-
-
1.10
2.10
°C / W
°C / W
结点 — 壳体的热阻 （注 5）
逆变器 IGBT 部分 （每 1 / 6 模块）
逆变器 FWD 部分 （每 1 / 6 模块）
注：
4. 这些值获取了考虑到设计因素的计算结果。
5. 关于壳体温度 (T ) 的测量点，请参阅图 2。
C
©2014 飞兆半导体公司
FSBB30CH60D Rev. C0
5
www.fairchildsemi.com
ONSEMI [ ONSEMI ]
