BDX53B, BDX53C (NPN),
BDX54B, BDX54C (PNP)
Plastic Medium-Power
Complementary Silicon
Transistors
These devices are designed for general-purpose amplifier and
low-speed switching applications.
Features
http://onsemi.com
•
High DC Current Gain -
•
•
•
•
h
FE
= 2500 (Typ) @ I
C
= 4.0 Adc
Collector Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc
V
CEO(sus)
= 80 Vdc (Min) - BDX53B, 54B
V
CEO(sus)
= 100 Vdc (Min) - BDX53C, 54C
Low Collector-Emitter Saturation Voltage -
V
CE(sat)
= 2.0 Vdc (Max) @ I
C
= 3.0 Adc
V
CE(sat)
= 4.0 Vdc (Max) @ I
C
= 5.0 Adc
Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
Pb-Free Packages are Available*
DARLINGTON
8 AMPERE
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTORS
80-100 VOLTS, 65 WATTS
4
Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎ Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
V
CEO
Value
80
100
80
100
5.0
8.0
12
0.2
Unit
Vdc
Collector-Emitter Voltage
BDX53B, BDX54B
BDX53C, BDX54C
Collector-Base Voltage
BDX53B, BDX54B
BDX53C, BDX54C
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
V
CB
Vdc
V
EB
I
C
I
B
Vdc
Adc
Adc
- Continuous
- Peak
Total Device Dissipation @ T
C
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
P
D
65
0.48
W
W/°C
°C
T
J
, T
stg
-65 to +150
1
TO-220AB
CASE 221A
STYLE 1
2
3
MARKING DIAGRAM
& PIN ASSIGNMENT
4
Collector
BDX5xyG
AY WW
1
Base
3
Emitter
2
Collector
Device Code
x = 3 or 4
y = B or C
Assembly Location
Year
Work Week
Pb-Free Package
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
qJA
Max
70
Unit
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
°C/W
°C/W
R
qJC
1.92
BDX5xy =
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
A
Y
WW
G
=
=
=
=
*For additional information on our Pb-Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 6 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007
1
November, 2007 - Rev. 13
Publication Order Number:
BDX53B/D
ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
