欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BDX53C 参数 Datasheet PDF下载

BDX53C图片预览
型号: BDX53C
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 塑料中功率互补硅晶体管 [Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 7 页 / 101 K
品牌: ONSEMI [ ON SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BDX53C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BDX53C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDX53C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BDX53C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BDX53C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BDX53C的Datasheet PDF文件第7页  
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
1. Pulse Test: Pulse Width
v
300
ms,
Duty Cycle
v
2%.
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
(Note 1)
OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 0.1 MHz)
Small-Signal Current Gain
(I
C
= 3.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 3.0 Adc, I
C
= 12 mA)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 3.0 Adc, I
B
= 12 mAdc)
DC Current Gain
(I
C
= 3.0 Adc, V
CE
= 3.0 Vdc)
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 80 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 100 Vdc, I
E
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= 40 Vdc, I
B
= 0)
(V
CE
= 50 Vdc, I
B
= 0)
Collector-Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 0)
BDX53B, BDX53C (NPN), BDX54B, BDX54C (PNP)
Characteristic
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
1.0
2.0
3.0
T
A
4.0
20
40
60
T
C
80
0
0
20
http://onsemi.com
40
Figure 1. Power Derating
T
A
T, TEMPERATURE (°C)
60
2
BDX53B, BDX54B
BDX53C, BDX54C
BDX53B, BDX54B
BDX53C, BDX54C
BDX53B, BDX54B
BDX53C, BDX54C
T
C
BDX53B, 53C
BDX54B, 54C
80
100
120
V
CEO(sus)
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(sat)
I
CBO
I
CEO
C
ob
h
FE
h
fe
140
160
Min
750
80
100
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max
300
200
2.5
2.0
4.0
0.2
0.2
0.5
0.5
-
-
-
-
mAdc
mAdc
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
pF
-
-