FEDL2110-01
OKI半导体
ML2110
DRAM存取
(V
DD
= 3.0〜 3.6 V ,TA = -40至85°C )
参数
RAS
延迟时间
RAS
脉冲宽度
A到
RAS
时间
CAS
延迟时间
CAS
脉冲宽度
A到
CAS
时间
RAS
to
CAS
时间
WE
to
CAS
时间
WE
延迟时间
WE
脉冲宽度
A到
WE
时间
需要
预充电时间
CAS
to
RAS
时间
CAS
到D时间
符号
t
RAS
t
W_RAS
t
W_ARAS
t
CAS
t
W_CAS
t
W_ACAS
t
W_RASCAS
t
W_WECAS
t
WE
t
W_WE
t
W_AWE
t
W_PREC
t
W_CASRAS
t
W_EDO
条件
—
—
—
2NT进入下降
EDGE
正常
正常
刷新
—
—
—
—
—
—
—
—
超级模式
分钟。
—
3
1
—
—
1.5
4
0.5
1.5
1.5
—
3
—
1
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1
—
1
—
马克斯。
24
注1
—
22+0.5t
CYC
22
2
5
1
2
2
23
注1
—
注2
—
1
单位
ns
t
CYC
t
CYC
ns
ns
t
CYC
t
CYC
ns
t
CYC
t
CYC
ns
t
CYC
t
CYC
t
CYC
t
CYC
t
CYC
通用设备访问
(V
DD
= 3.0〜 3.6 V ,TA = -40至85°C )
参数
AS
延迟时间
符号
t
AS
条件
—
分钟。
—
典型值。
—
马克斯。
27
单位
ns
9/101