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    PRTR5V0U2X 参数 Datasheet PDF下载

    PRTR5V0U2X图片预览
    型号： PRTR5V0U2X
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 在SOT143B超低电容双轨对轨ESD保护二极管 [Ultra low capacitance double rail-to-rail ESD protection diode in SOT143B]
    分类和应用： 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
    文件页数/大小： 10 页 / 59 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号PRTR5V0U2X的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PRTR5V0U2X的Datasheet PDF文件第2页浏览型号PRTR5V0U2X的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PRTR5V0U2X的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PRTR5V0U2X的Datasheet PDF文件第6页浏览型号PRTR5V0U2X的Datasheet PDF文件第7页浏览型号PRTR5V0U2X的Datasheet PDF文件第8页浏览型号PRTR5V0U2X的Datasheet PDF文件第9页  
    飞利浦半导体
    PRTR5V0U2X
    超低电容双轨对轨ESD保护二极管
    6.特性
    表7：
    特征
    T
    AMB
    = 25
    °
    C除非另有规定ED 。
    符号
    V
    RWM
    I
    R
    V
    BR
    C
    （ I / O - GND ）
    C
    （ I / O -I / O）
    C
    SUP
    V
    F
    参数
    相反的立场-O FF电压
    反向电流;引脚2,3和4到地面
    击穿电压; 4脚到地
    输入对地电容;销2和3以
    地
    输入到输入电容;针2〜 3针
    供电电容; 4脚到地
    正向电压
    F = 1兆赫; V
    （ I / O - GND ）
    = 0 V
    F = 1兆赫; V
    （ I / O -I / O）
    = 0 V
    F = 1兆赫; V
    CC
    = 0 V
    V
    R
    = 3 V
    条件
    民
    -
    -
    6
    -
    -
    -
    -
    典型值
    -
    <1
    -
    1
    0.6
    16
    0.7
    最大
    5.5
    100
    9
    -
    -
    -
    -
    单位
    V
    nA
    V
    pF
    pF
    pF
    V
    2.0
    C
    （ I / O - GND ）
    （PF ）
    1.6
    006aaa483
    1.0
    C
    （ I / O -I / O）
    （PF ）
    0.8
    006aaa484
    1.2
    0.6
    0.8
    0.4
    0.4
    0.2
    0
    0
    1
    2
    3
    5
    V
    （ I / O - GND ）
    (V)
    4
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    V
    （ I / O -I / O）
    (V)
    F = 1兆赫;牛逼
    AMB
    = 25
    °C
    F = 1兆赫;牛逼
    AMB
    = 25
    °C
    看图2，输入对地电容的一个函数
    输入端对地电压;典型值
    看图3，输入到输入电容作为输入的函数
    到输入电压;典型值
    9397 750 15163
    ©皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
    产品数据表
    版本01 - 2005年9月22日
    4 10

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