BISS Loadswitches
动力
供应
Tr1
低VCEsat晶体管
（ BISS ）
R2
负载
结合了BISS晶体管与RET ， BISS Loadswitches提供全
在单个封装中的微型loadswitch的功能，并提供
最好的一流的性能。
控制
输入
R1
Tr2
（RET）
主要特点
- BISS晶体管和RET在一个封装
- 低“门槛”电压（ < 1 V ）相比，
以MOSFET
需要小的驱动功率 -
- 最佳的一流的性能loadswitches
- 可用于交换的0.5载荷 - 1
重点班妮科幻TS
- 集成上最货架解决方案
负荷开关
•节省设计和采购成本
•减少boardspace要求
•只有一个或两个外部电阻器所需
全loadswitch能力
- 组合的低电压降和低
基极驱动电流
•在电源路径BISS晶体管提供
最低的能量损失
• RET在控制路径提供低
基极驱动电流
MSE336
GND
Loadswitch
主要应用领域
- 供电线路开关，例如在控制单元
- 灯，电机和开关的控制
例如仪表板
- 高压侧开关的驱动程序
SOT457 （ SC- 74 ）
SOT363 （ SC -88 ）
I
C
(A)
V
首席执行官
(V)
V
CESAT
（毫伏）
@ 500毫安
R1 = R2 （千欧）
2.2
4.7
PBLS4001Y
PBLS4002Y
PBLS4003Y
PBLS4004Y
PBLS4005Y
PBLS4001D
PBLS4002D
PBLS4003D
PBLS4004D
PBLS4005D
PBLS6001D
PBLS6002D
PBLS6003D
PBLS6004D
PBLS6005D
0.5
40
350
10
22
47
2.2
4.7
40
170
10
22
47
2.2
4.7
1.0
60
180
10
22
47
6
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
