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型号: PBSS2515E
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内容描述: 15 V , 0.5 A NPN低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 [15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 12 页 / 121 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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PBSS2515E
15 V , 0.5 A NPN低V
CESAT
( BISS )晶体管
牧师02 - 2009年4月21日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN低V
CESAT
突破性小信号( BISS )晶体管在一个超小型
SOT416 ( SC - 75 )表面贴装器件( SMD )塑料封装。
PNP补充: PBSS3515E 。
1.2产品特点
I
I
I
I
I
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
CM
高集电极电流增益(H
FE
)在高I
C
高英法fi效率由于较少的热量产生
较小的所需的印刷电路板( PCB)面积比传统的晶体管
1.3应用
I
I
I
I
I
I
直流 - 直流转换
MOSFET栅极驱动
电机控制
充电电路
低功率开关(例如电机,风机)
便携式应用
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
[1]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 发射极
饱和电阻
单脉冲;
t
p
1毫秒
I
C
= 500毫安;
I
B
= 50毫安
条件
开基
-
-
-
-
典型值
-
-
-
300
最大
15
0.5
1
500
单位
V
A
A
mΩ
脉冲测试:吨
p
300
µs; δ ≤
0.02.