恩智浦半导体
产品数据表
18倍的ESD瞬态电压
抑制器
特点
•
SO20 SMD封装允许18
独立的稳压二极管
在一个共同的阳极构
•
工作电压：典型值。 6.8 V
•
正向电压：最大。 1.3 V
•
最大反向峰值功率
功耗： 27.5在T W＆
p
= 1毫秒
•
最大钳位电压峰值
脉冲电流： 11 V时2.5 A
•
低漏电流：最大。 2
µA
•
ESD额定值>8千伏，根据
IEC 801-2 。
应用
•
凡瞬态过电压
保护在电压和ESD
敏感设备是必需的
例如：
•计算机
•打印机
•商务机
•通讯系统
- 医疗设备。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
I
Z
I
F
I
FSM
I
ZSM
P
合计
参数
工作电流
连续正向电流
非重复峰值正向电流
非重复性峰值反向电流
总功耗
t
p
= 1毫秒;方波脉冲
t
p
= 1毫秒;方波脉冲;见图2
看科幻G.3
最多至T
s
= 60
°C;
注2
最多至T
AMB
= 25
°C;
注3
P
ZSM
T
英镑
T
j
笔记
1.直流工作电流限制为P
TOT最大
.
2.一个或多个二极管装载;牛逼
s
是在焊接点的温度。
3.一个或多个二极管装载;设备安装在带有R的印刷电路板
第一个-S
= 43.5 K / W 。
1997年12月02
2
非重复性峰值反向功率
耗散
储存温度
工作结温
t
p
= 1毫秒;方波脉冲;见图4
−
−
−
−65
−
1.6
条件
−
−
−
−
分钟。
描述
18倍monolitic瞬态电压
抑制器。其18倍的结
共阳极保护设计18
只使用一个单独的行
封装。该器件非常适用于
情况下，电路板空间是
溢价。
钉扎
针
1至5个
6和16
7到15个
17至20
BZA100
描述
阴极（K
1
至K
5
)
公共阳极（一个
1
; a
2
)
阴极（K
6
至K
14
)
阴极（K
15
至K
18
)
手册中， 4列
k1
k2
1
2
3
4
5
20 k18
19 k17
18 k16
17 k15
16 a2
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
k3
k4
k5
a1
k6
k7
k8
SO20
6
7
8
9
15 k14
14 k13
13 k12
MBG396
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12 k11
11 k10
k9 10
Fig.1引脚配置为SO20 （ SOT163-1 ）和符号。
马克斯。
注1
200
4
2.5
单位
mA
mA
A
A
W
W
W
°C
°C
1.25
27.5
+150
150
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
