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BC847C 参数 Datasheet PDF下载

BC847C图片预览
型号: BC847C
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内容描述: NPN通用晶体管 [NPN general purpose transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 10 页 / 80 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
BC846 ; BC847 ; BC848
手册, halfpage
600
MGT727
的hFE
500
(1)
1200
手册, halfpage
VBE
(毫伏)
1000
(1)
MGT728
400
(2)
800
(2)
300
600
(3)
200
(3)
400
100
200
0
10
−1
1
10
10
2
I C (毫安)
10
3
0
10
−2
10
−1
1
10
10
2
10
3
I C (毫安)
BC847B;
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
−55 °C.
BC847B;
V
CE
= 5 V.
(1) T
AMB
=
−55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.6
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
Fig.7
基极 - 发射极间电压的一个函数
集电极电流;典型值。
10
4
手册, halfpage
VCEsat晶体管
(毫伏)
10
3
MGT729
手册, halfpage
1200
VBEsat
(毫伏)
1000
MGT730
(1)
800
(2)
600
(3)
10
2
(1)
400
(3) (2)
200
10
10
−1
1
10
10
2
I C (毫安)
10
3
0
10
−1
1
10
10
2
I C (毫安)
10
3
BC847B;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 150
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
−55 °C.
BC847B;
I
C
/I
B
= 10.
(1) T
AMB
=
−55 °C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
= 150
°C.
Fig.8
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值。
Fig.9
基极 - 发射极饱和电压作为
集电极电流的函数;典型值。
2004年2月06日
6