欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BAS32L 参数 Datasheet PDF下载

BAS32L图片预览
型号: BAS32L
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高速开关二极管 [High-speed switching diode]
分类和应用: 整流二极管开关
文件页数/大小: 10 页 / 64 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号BAS32L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BAS32L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAS32L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BAS32L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BAS32L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BAS32L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BAS32L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BAS32L的Datasheet PDF文件第9页  
恩智浦半导体
BAS32L
高速开关二极管
1.2
C
d
(PF )
1.0
mgd004
0.8
0.6
0.4
0
10
V
R
(V)
20
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C
图5二极管的电容为反向电压的函数;典型值
8.测试信息
t
r
D.U.T.
R
S
= 50
V = V
R
+
I
F
×
R
S
I
F
采样
示波器
R
i
= 50
V
R
mga881
t
p
t
10 %
+
I
F
TRR
t
90 %
输入信号
输出信号
(1)
输入信号:反向脉冲上升时间t
r
= 0.6纳秒;反向电压脉冲持续时间T
p
= 100纳秒;占空比
δ ≤
0.05
示波器:上升时间t
r
= 0.35纳秒
(1) I
R
= 1毫安
图6.反向恢复时间测试电路和波形
I
1 kΩ
450
I
90 %
V
R
S
= 50
D.U.T.
示波器
R
i
= 50
10 %
t
t
r
t
p
输入信号
VFR
t
输出信号
mga882
输入信号:正向脉冲上升时间t
r
= 20纳秒;正向电流脉冲持续时间T
p
为100 ns ;占空比
δ ≤
0.005
图7.正向恢复电压测试电路和波形
BAS32L_5
© NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2008年1月3日
5 10