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BAS316_04 参数 Datasheet PDF下载

BAS316_04图片预览
型号: BAS316_04
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内容描述: 高速二极管 [High-speed diode]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 9 页 / 66 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
BAS316
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
看科幻G.3
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
I
R
反向电流
见图5
V
R
= 25 V
V
R
= 75 V
V
R
= 25 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 75 V ;牛逼
j
= 150
°C
C
d
t
rr
V
fr
二极管电容
反向恢复时间
正向恢复电压
F = 1兆赫; V
R
= 0;见图6
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
R
L
= 100
Ω;
测量我
R
= 1毫安;见图7
从我开机时,
F
= 10毫安;牛逼
r
= 20纳秒;参见图8
30
1
30
50
1.5
4
1.75
nA
µA
µA
µA
pF
ns
V
715
855
1
1.25
mV
mV
V
V
条件
马克斯。
单位
热特性
符号
R
日( J- S)
1.焊接点阴极选项卡。
参数
热阻结到焊接点
注1
条件
价值
150
单位
K / W
2004年2月04
3