飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双边开关
74HC4066 ; 74HCT4066
特点
•
极低的导通电阻：
– 50
Ω
（典型值） V
CC
= 4.5 V
– 45
Ω
（典型值） V
CC
= 6.0 V
– 35
Ω
（典型值） V
CC
= 9.0 V.
•
符合JEDEC标准没有。 7A
•
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 -B超过2000伏
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
•
从指定的
−40 °C
+85
°C
和
−40 °C
+125
°C.
概述
该74HC4066和74HCT4066是高速硅栅
CMOS设备，且引脚与兼容
HEF4066B 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC4066和74HCT4066有四个独立的
模拟开关。每个开关有两个输入/输出引脚
（引脚纽约州或NZ）和一个高电平有效使能输入引脚
（引脚NE ） 。当引脚NE =低的属于模拟开关
是关闭的。
该74HC4066和74HCT4066引脚兼容
的74HC4016和74HCT4016 ，但表现出低得多的
导通电阻。此外，导通电阻相对
常在整个输入信号范围。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒。
典型
符号
t
PZH
/t
PZL
t
PHZ
/t
PLZ
C
I
C
PD
C
S
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
µW).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ[(C
L
+ C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
]其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
C
S
=以pF最大的开关电容;
V
CC
在V =电源电压;
N =输入切换次数;
Σ[(C
L
+ C
S
)
×
V
CC2
×
f
o
] =输出的总和。
2.对于74HC4066的条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT4066的条件为V
I
= GND到V
CC
−
1.5 V.
参数
开启时间NE到V
os
关断时间NE到V
os
输入电容
功耗
每个开关电容
最大开关
电容
注1和2
条件
74HC4066
C
L
= 15 pF的; ř
L
= 1 kΩ的; V
CC
= 5 V
C
L
= 15 pF的; ř
L
= 1 kΩ的; V
CC
= 5 V
11
13
3.5
11
8
74HCT4066
12
16
3.5
12
8
ns
ns
pF
pF
pF
单位
2004年11月11日
2
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
