飞利浦半导体
产品speci fi cation
四双边开关
74HC4066 ; 74HCT4066
推荐工作条件
74HC4066
符号
V
CC
V
I
V
S
T
AMB
参数
电源电压
输入电压
开关电压
环境温度
见直流和交流
特征
每个器件
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
V
CC
= 10.0 V
条件
分钟。
2.0
GND
GND
−40
−40
−
−
−
−
典型值。
5.0
−
−
+25
−
6.0
−
−
−
马克斯。
10.0
V
CC
V
CC
+85
+125
1000
500
400
250
分钟。
4.5
GND
GND
−40
−40
−
−
−
−
典型值。
5.0
−
−
+25
−
6.0
−
−
−
马克斯。
5.5
V
CC
V
CC
+85
+125
500
−
−
−
V
V
V
°C
°C
ns
ns
ns
ns
74HCT4066
单位
t
r
, t
f
输入上升和下降时间
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） ;电压参考GND（地= 0V）。
符号
V
CC
I
IK
I
SK
I
S
I
CC
, I
GND
T
英镑
P
合计
P
S
笔记
1.为了避免绘制V
CC
电流输出引脚NZ，当开关电流在销NY ，跨越的电压降流过的
双向开关不得超过0.4 V.如果开关电流流入引脚新西兰，没有V
CC
电流将流出来的
引脚纽约。在这种情况下，不存在限制开关两端的电压降，但在销NY和NZ可能的电压
不超过V
CC
或GND 。
2.对于DIP14封装： 70以上
°C
为12毫瓦/ K的线性降额。
对于SO14封装： 70以上
°C
8毫瓦/ K线性降额。
对于SSOP14和TSSOP16封装： 60岁以上
°C
5.5毫瓦/ K线性降额。
对于DHVQFN14包： 60岁以上
°C
4.5毫瓦/ K线性降额。
参数
电源电压
输入二极管电流
开关二极管电流
开关电流
V
CC
或GND电流
储存温度
功耗
每个交换机的功耗
T
AMB
=
−40 °C
+125
°C;
注2
V
I
＆ LT ;
−0.5
V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
V
S
＆ LT ;
−0.5
V或V
S
＆ GT ; V
CC
+ 0.5 V
−0.5
V < V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5 V ;注1
条件
分钟。
−0.5
−
−
−
−
−65
−
−
马克斯。
+11.0
±20
±20
±25
±50
+150
500
100
单位
V
mA
mA
mA
mA
°C
mW
mW
2004年11月11日
6
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
