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74HC00N 参数 Datasheet PDF下载

74HC00N图片预览
型号: 74HC00N
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内容描述: 四路2输入与非门 [Quad 2-input NAND gate]
分类和应用:
文件页数/大小: 15 页 / 166 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
74HC00 ; 74HCT00
四路2输入与非门
表6 。
静态特性
- 续
在推荐工作条件;电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
74HCT00
V
IH
V
IL
V
OH
高位
输入电压
低电平
输入电压
高位
输出电压
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
I
O
=
−20 μA
I
O
=
−4.0
mA
V
OL
低电平
输出电压
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
I
O
= 20
μA;
V
CC
= 4.5 V
I
O
= 5.2毫安; V
CC
= 6.0 V
I
I
I
CC
ΔI
CC
输入漏
当前
电源电流
另外
电源电流
V
I
= V
CC
或GND ;
V
CC
= 6.0 V
V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 6.0 V
每个输入引脚;
V
I
= V
CC
2.1 V ;我
O
= 0 A;
其他输入在V
CC
或GND ;
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
-
-
-
-
-
0
0.15
-
-
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.33
±1
20
675
-
-
-
-
-
0.1
0.4
±1
40
735
V
V
μA
μA
μA
-
-
4.5
4.32
-
-
4.4
3.84
-
-
4.4
3.7
-
-
V
V
-
-
1.6
1.2
-
-
2.0
-
-
0.8
2.0
-
-
0.8
V
V
条件
25
°C
典型值
最大
−40 °C
+85
°C −40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
C
I
输入
电容
-
3.5
-
-
-
-
-
pF
10.动态特性
表7中。
动态特性
GND = 0 V ;
C
L
= 50 pF的;
对于负载电路见
符号参数
条件
74HC00
t
pd
传播延迟呐, NB到纽约;看
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ; ç
L
= 15 pF的
V
CC
= 6.0 V
t
t
转换时间
SEE
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
C
PD
功耗
电容
每包; V
I
= GND到V
CC
25
°C
典型值
最大
−40 °C
+125
°C
单位
最大
(85
°C)
最大
(125
°C)
-
-
-
-
-
-
-
-
25
9
7
7
19
7
6
22
-
-
-
-
-
-
-
-
115
23
-
20
95
19
16
-
135
27
-
23
110
22
19
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
74HC_HCT00_4
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产品数据表
版本04 - 2010年1月11日
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