飞利浦半导体
产品speci fi cation
2输入与门
特点
•
对称的输出阻抗
•
高噪声抗扰度
•
ESD保护：
- HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
- MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V
- 清洁发展机制EIA / JESD22- C101超过1000 V.
•
低功耗
•
平衡传输延迟
•
非常小的5引脚封装
•
输出能力：标准
•
从指定的
−40
+125
°C.
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
≤
3.0纳秒。
74AHC1G08 ; 74AHCT1G08
描述
该74AHC1G / AHCT1G08是一个高速硅栅的CMOS
装置。
该74AHC1G / AHCT1G08提供了2输入与
功能。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
µW).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ (C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=在伏的电源电压。
2.条件为V
I
= GND到V
CC
.
参数
传播延迟A和B为Y
输入电容
功率耗散电容
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
注1和2
条件
AHC1G
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
3.2
1.5
17
AHCT1G
3.6
1.5
19
ns
pF
pF
单位
2002年6月6日
2
PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
